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美國功率半導體新創 iDEAL Semiconductor 宣布，其全新 SuperQ™ 150V MOSFET 系列 已正式量產，並同步開放樣品測試。這項新產品進一步鞏固了 SuperQ 架構在高效能與低導通電阻（RDSon）上的領先地位，同時保有傳統矽材料在成本、製造性與可靠度上的優勢。
超低阻抗設計，挑戰矽技術極限
SuperQ 150V 系列針對不同應用推出多款性能最佳化元件，其中 iS15M7R1S1C（最大導通電阻 6.4 mΩ）採用緊湊型 PDFN 5×6 mm 封裝，而 iS15M2R5S1T 系列（最大導通電阻僅 2.5 mΩ）則提供 TOLL、D2PAK-7L 與 TOLT 等多種封裝形式。後者更創下業界最低阻抗紀錄，比次佳競品低 36%，樹立新標準。
此外，iDEAL 也同步推出多款樣品版本，包括 5.5 mΩ 的 PDFN 5×6 mm 產品，以及 8.8 mΩ 的 TO-220 與 PDFN 封裝版本，以滿足不同功率設計需求。
聚焦 AI、車電與工業應用
該系列 MOSFET 鎖定馬達驅動、電池保護、AI 伺服器與電源轉換（SMPS）等高功率應用市場，能顯著降低導通損耗、提升散熱與穩定性，同時具備高耐用性與可量產性。
iDEAL 執行長暨共同創辦人 Mark Granahan 表示：「SuperQ 150V 重新定義了矽的性能邊界，讓設計者在確保可靠與成本優勢的前提下，達成以往被認為不可能的效率表現。」
延伸產品線 布局更高電壓領域
SuperQ 150V 全系列皆採 業界標準封裝，包括 TOLL、TOLT、D2PAK-7L、TO-220 與 PDFN 5×6 mm，方便設計者直接導入現有系統。該系列亦與已量產的 200V SuperQ 平台 相輔相成，並將在後續推出 250V 至 650V 的新平台，進一步擴展矽基功率元件在高壓領域的應用版圖。(原文出處）
