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荷蘭半導體設備龍頭ASML宣布，其極紫外光（EUV）技術取得重大突破，將大幅提升晶片產能。根據報導，該公司研究團隊成功提高EUV光源功率，預計在本世紀末前，使單機每小時晶圓處理量由目前約220片提升至330片，增幅可達五成。這不僅意味著產能擴張，更象徵EUV技術正邁向更成熟、高效率的量產階段。
EUV功率提升成降本關鍵
目前ASML的EUV光源功率約為600瓦，研發團隊已找到方法將其提升至1,000瓦。功率提升後，可縮短光阻曝光時間，讓晶片製造流程加快。原理如同沖洗底片：EUV光投射至塗佈光阻的矽晶圓上，光源越強，曝光越快，單位時間內可完成更多晶片圖案轉移。更高的產出意味著每顆晶片的成本可進一步下降，對先進製程競逐中的晶圓廠而言，無疑是關鍵利多。
這項技術突破的核心，在於改變錫液滴產生與激發方式。ASML將每秒約10萬顆熔融錫液滴送入腔體，並改以兩次小型雷射脈衝將其轉化為等離子體，而非過去單次塑形雷射。錫液滴被二氧化碳雷射加熱至比太陽表面更高的溫度，產生13.5奈米波長的EUV光。產生的光線再由德國光學大廠Carl Zeiss AG提供的高精度光學系統收集並導回機台，用於晶片圖案製作。
從產業角度觀察，這不只是功率數字的提升，而是先進製程經濟效益的放大。當晶片節點愈來愈微縮，製造難度與成本同步攀升，若EUV機台能在相同設備下產出更多晶片，將強化ASML在全球設備市場的領先優勢，也進一步鞏固其在高階製程供應鏈中的核心地位。（原文出處）
