美國薄膜沉積設備商 Veeco Instruments 宣布，接獲來自一家主要功率半導體整合元件製造商（IDM）的重大訂單，將提供 Propel®300 系統，用於在 300 毫米矽晶圓上成長氮化鎵（GaN）外延層。這筆訂單不僅代表市場對 GaN 技術的加速採用，更確立了 Veeco 在 300 毫米 MOCVD（有機金屬化學氣相沉積）領域的領導地位，為下一階段的產業升級奠定關鍵技術基礎。
這項進展，標誌著從 200mm 跨越至 300mm 的轉折點已正式到來，也意味著功率元件產能、成本與能效的重新洗牌。
從製程突破到市場結構重塑
Veeco 的 Propel®300 平台，以其自動化晶圓處理與 TurboDisc 技術著稱，能兼顧厚度與摻雜均勻性，同時保持極低缺陷率與高產能。對客戶而言，從 200mm 跨至 300mm 晶圓，單片可提升達 2.3 倍晶粒數，意味著不僅能在現有生產線導入，還能顯著降低製造成本。這正是功率半導體製造商積極擁抱 GaN-on-Si 的主因——效能與經濟規模的同步突破。
市場研究機構 Yole Group 預估，全球 GaN 元件市場將以年複合成長率 35% 的速度，從 2025 年的 5.55 億美元成長至 2030 年的 25 億美元。推動力量，來自汽車電動化、工業節能與資料中心電源升級等關鍵應用。尤其在生成式 AI 帶動高耗能運算的時代，電源轉換效率已成為資料中心設計的生死線。GaN 以高開關頻率與優異導熱性著稱，能顯著縮小系統體積、提升功率密度，為下一代能源管理系統提供最佳材料解答。
這筆訂單的背後，不僅是設備供應鏈的勝利，更是一場「矽基功率技術的世代更迭」。Veeco 成為首批成功將 GaN-on-Si 規模化至 300mm 的廠商之一，象徵 GaN 技術正在從實驗室走向量產現場。當成本曲線下彎、應用需求上升，功率半導體的下一個十年，或將以 GaN 為核心，重新定義能源效率的極限。（原文出處）
