UltraRAM 技術突圍，成記憶體革新關鍵轉捩點

據 TechNews 引述 Tom’s Hardware 和 Blocks & Files 報導，英國新創公司 Quinas Technology 正向商用里程碑靠攏，其開發的新型記憶體 UltraRAM 同時兼具 DRAM 與 NAND 的優勢，並已與晶片代工材料廠 IQE 建立合作，推動產線技術升級。UltraRAM 不僅擁有媲美 DRAM 的極速存取性能，耐用度更高達 NAND 的 4,000 倍，待機能耗極低，甚至可實現長達 1,000 年的資料保存。Quinas 與 IQE 將在多家晶圓代工廠展開試產計劃，以推向工業級量產階段。

二合一記憶體UltraRAM：技術創新與產業整合挑戰並行

UltraRAM 若能成功量產，將有機會引爆記憶體技術革命，為AI運算、邊緣裝置與超低功耗系統提供全新選擇。不過其核心技術涉及全球首見的氮化物外延晶片製程，要從實驗室推向產業供應鏈仍面臨高門檻。能否整合現有供應商、穩定良率與成本結構將決定其能否撼動 DRAM 和 NAND 的市場壟斷局面。（原文出處)