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全球高頻寬記憶體（HBM）市場正迎來技術轉折點。據《News1 Korea》報導，隨著16層 HBM4 晶片在製程上面臨 TSV（通孔）良率瓶頸，供應商正積極導入 Hybrid Bonding（混合鍵合） 技術，以取代傳統 TC Bonder（熱壓接合）方式。產業分析師預估，到 2028 年混合鍵合將在 HBM4E 世代占比達五成，市場規模可望突破 2.8 兆韓元（約 19.9 億美元）。
從「熱壓焊接」走向「無凸塊鍵合」
傳統的 TC Bonder 技術透過熱與壓力讓錫凸點（solder bump）連接晶片，但當堆疊層數超過 20 層時，訊號損耗與熱應力問題日益嚴重。相比之下，Hybrid Bonding 直接將晶片表面金屬與介電層對接，不需凸塊即可完成鍵合，大幅降低電阻與延遲，成為推進 HBM 堆疊深度與運算效能的關鍵技術。
業界估算，一台混合鍵合機台成本約 40 億韓元，價格是 TC Bonder 的兩倍以上。然而，隨著 AI 伺服器對高層堆疊 HBM 的需求激增，該市場被視為下一波半導體設備投資重心。
韓廠布局 搶進新世代封裝賽道
韓國設備廠正全力搶攻這波新技術浪潮。以目前 HBM 封裝設備龍頭 Hanmi Semiconductor（韓美半導體） 為例，公司宣布投資 1000 億韓元，在仁川興建一座 1.46 萬平方公尺的混合鍵合廠房，預計於 2026 年下半年投產，將供應 HBM 與邏輯晶片（XPU）用設備。Hanmi 並計畫在 2027 年底推出支援 HBM6 的新型 Hybrid Bonder。
報導指出，儘管 HBM4 與 HBM5 仍可使用 TC Bonder 生產，但隨著 OpenAI 計畫與三星電子、SK 海力士合作建設新資料中心，HBM4E 之後的高層堆疊將全面導入 Hybrid Bonding。這意味著未來三年內，封裝設備市場將迎來一場結構性洗牌，誰能搶先量產、誰就掌握下一代 AI 記憶體的核心優勢。（原文出處）
