隨著NVIDIA年度AI盛會NVIDIA GTC即將登場，市場目光正聚焦於其下一代AI加速器Vera Rubin所需的HBM4供應情況。報導指出，Samsung Electronics與SK hynix均已列入關鍵零組件供應名單。由於HBM4從DRAM晶圓到封裝完成需超過六個月的生產週期，兩家公司預計最快本月就會啟動量產準備，以配合下半年產品上市時程。
HBM4速度成關鍵競爭點
雖然Vera Rubin所採用HBM4的供應分配與價格仍未完全確定，但產業人士預估，SK hynix在2026年仍將占據超過一半的HBM總供應量，包括HBM3E產品，而三星則有望在Vera Rubin專用HBM4上取得領先。市場研究機構TrendForce預測，SK hynix在全球HBM位元產出中的市占率將維持約50%，較2025年的59%略降；三星則可能從20%提升至28%。
報導指出，Vera Rubin對HBM4的性能要求相當嚴格。JEDEC目前制定的HBM4標準資料傳輸速度為8Gb/s，但NVIDIA要求超過10Gb/s。消息指出，三星的HBM4產品已通過10Gb/s與11Gb/s兩個等級的測試，而SK hynix則仍在優化產品，以達到11Gb/s的性能標準。
HBM4主要透過將8至16層DRAM晶片堆疊於控制基板上，以提升容量與頻寬。Vera Rubin預計將採用16層堆疊設計，總容量可達576GB，高於Advanced Micro Devices預計推出的MI450加速器，其HBM容量約為432GB。
Micron Technology也未完全退出HBM4競賽。市場消息指出，Micron可能主要供應用於中階AI推論加速器的HBM4產品，例如Rubin CPX，而非旗艦級Vera Rubin平台。隨著AI伺服器需求持續攀升，HBM4的供應布局與性能競爭，正成為記憶體廠商在新一代AI基礎設施中的關鍵戰場。（原文出處）
