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根據TrendForce報導，隨著 NVIDIA 已正式按下 12 層 HBM3e 認證核准鍵，韓國記憶體廠商 Samsung Electronics 正加速投入 HBM4 競賽。報導指出，三星將於 10 月 27 至 31 日在京畿道龍仁半導體園區的 2025 Samsung Tech Fair 上公開其第六代 12 層 HBM4 產品，並預計於今年底啟動量產。
HBM4 揭幕與競爭緊張升溫
據 SeDaily 報導，儘管三星在 HBM3e 階段被 SK Hynix 與 Micron Technology 領先，這次其意圖藉由 HBM4 提升品質認證速度與量產規模，以迎頭趕上競爭者。此外，三星也在展會中規劃揭示 200 萬像素影像感測器與面向晶片應用的 AI 技術等多項創新產品，顯示其在記憶體之外積極擴展科技版圖。
在記憶體領域，HBM（High Bandwidth Memory）是專為 AI、資料中心與高速運算設計的高階堆疊記憶體，而下一代 HBM4e 目標則定為每引腳速率超過 13 Gbps、頻寬達 3.25 TB/s，為現行 HBM3e 的約2.5倍。三星此番發佈計畫，正緊追這項技術指標，彰顯其在全球 HBM 市場重返領先的決心。
然而，儘管公開目標話語強勢，業界亦提出審慎觀點：記憶體走向 AI 應用及大型模組化設計雖帶動需求，但量產良率、成本控制、客戶認證與供應鏈整合皆為尚待克服的挑戰。三星如要真正以 HBM4 翻身並擴大市占，仍須在這些關鍵運營環節快速提升。
總而言之，隨著 AI 運算需求急速升溫，記憶體技術競賽也進入新階段。三星此次推出 HBM4 計劃，不僅代表其在高階記憶體技術上的再出發，也將為全球 AI 晶片與資料中心供應鏈製造新的競爭節點，值得業界持續關注。（原文出處）
