Micron延後HBM基底Die轉移，恐失記憶體性能競爭力

據 TrendForce 報導（轉引自 South Korea’s Digital Daily），隨著 NVIDIA 預計於2027 年推出自家 HBM base die，業界對於採用晶圓代工（foundry）工藝取代傳統 DRAM 製程的趨勢高度關注。三星與 SK 海力士已表態將從 HBM4 開始，在 TSMC 等 foundry 工藝平台建置 base die，以因應高速度、高頻寬、高能效及低熱延遲的需求。相較之下，Micron 受到成本考量所限，決定延後轉向 foundry，直到 HBM4e 才全面過渡。

HBM記憶體技術轉型：DRAM工藝向晶圓代工轉變中的風險與機遇

Micron 此策略短期內有助於控制成本與保障既有供應鏈穩定，但長期而言可能風險高於收益。HBM 市場快速演進，與 GPU 大廠（如 NVIDIA、AMD）高度整合的性能要求正迅速上升，若堅守 DRAM 製程，恐無法滿足未來客戶的技術需求。此外，HBM4e 引入定制化 base die 的策略，意味對客戶需求的適應性將成關鍵差異。Micron 若依賴過久過時製程，恐在新一輪性能競賽中徐徐落於後。（原文出處）