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隨著 AI 浪潮推升高頻寬記憶體（HBM）需求，全球供給吃緊，而美國自去年底收緊出口管制後，中國更難以取得進口 HBM。面對嚴峻缺口，中國正加速啟動「自製計畫」，主要科技企業紛紛投入研發，力圖建立本土供應鏈。根據《路透》消息，長江存儲（YMTC） 已不再侷限於 NAND，正籌劃跨足 DRAM 領域，並鎖定 AI 處理器專用的先進版本，目標直指 HBM。
長江存儲與華為雙線推進
YMTC 正開發矽穿孔（TSV）封裝技術，藉由堆疊 DRAM 晶片以生產 HBM，顯示北京在高階晶片製造上已展現緊迫感。另一方面，華為 也在今年九月中公布了 AI 晶片多年度路線圖，規劃至 2028 年持續推出 Ascend 系列新品。首波將於 2026 年第一季登場的 Ascend 950PR，據報已採用 自研 HBM，這意味中國企業正在嘗試從設計到材料逐步擴大自主化。
業界人士透露，YMTC 或將把武漢新廠部分產能專門投入 DRAM。根據企查查資料，YMTC 本月已設立新公司，計畫投資 207 億人民幣（約 29 億美元） 建造第三座武漢廠區。與此同時，合肥的 長鑫存儲（CXMT） 也重啟資本支出，增產 DDR5 並推進 HBM3，形成國內競合格局。
HBM 被視為 AI 晶片運算效率的關鍵元件，中國此番「全力追趕」並不令人意外。然而挑戰顯而易見：HBM 涉及的堆疊封裝、材料純度與製程良率極為複雜，中國雖能大舉投資，但要在短期內追平三星與 SK hynix 的領先優勢，難度極高。
華為與 YMTC 的並行動作，反映出中國正試圖以「設計＋製造」雙輪並進的方式突破瓶頸。雖然現階段仍依靠庫存支撐，但若新產線能順利量產，中國在 HBM 自給率上的突破，可能會在未來三到五年逐步顯現。（原文出處）
