根據 TrendForce 最新報導，台積電目前正牽頭與設備商與複合半導體合作夥伴，共同探索使用 12 吋單晶矽碳化物（SiC） 作為散熱基板（thermal substrate）的可能性，目標是取代傳統的氧化鋁（alumina）、藍寶石（sapphire）或陶瓷基板。傳統上，SiC 已主要用於功率半導體、車用與儲能等領域；現在則已擴展至 AR 智慧眼鏡鏡片與高階 3D IC 封裝等新領域，在這些應用中散熱需求極高，因此需要高導熱材料來做散熱基板的載體。對於 3D IC 封裝，目前有兩條主要 SiC 採用路徑正浮現：第一條是導電型 SiC，用於測試 thermal substrate 性能；第二條則是半絕緣型 SiC，可能在未來被用作 silicon interposer 層。
SiC 基板應用擴張：從功率與封裝到 3D IC 的散熱革命
台積電推動 12 吋 SiC 基板的嘗試，顯示業界正針對 AI 與高頻運算裝置日益嚴峻的散熱挑戰，尋找新的材料解決方案。SiC 在熱傳導性質上僅次於鑽石，在理論上可提供約 400 W/m·K 或更高的散熱能力，而傳統陶瓷約僅有 200‑230 W/m·K；如此差異意味著在高功率密度，尤其是 3D IC、Co‑Packaged Optics (CPO)、射頻與 AI 伺服器應用中，SiC 的導入可大幅降低熱阻與提升穩定性。
然而，在實務上推行還有不小的技術與成本門檻要克服。首先，12 吋 SiC 單晶片的缺陷率控制與晶片切割（slicing）的平整度是重大挑戰；若切割技術未成熟，表面波紋或微缺陷將嚴重影響與基板或 interposer 的結合與散熱品質。其次，導電型與半絕緣型 SiC 的選擇取決於具體應用場合（如散熱基板 vs interposer vs 光電連接），不同型態的整合方式與加工工藝複雜度與成本亦不相同。若 SiC 基板成為主流材料，將帶動上下游材料與設備供應鏈的調整與升級，也可能對全球 CCL、陶瓷、基板材料市場造成顛覆性衝擊。（原文出處）
