首頁 他山之矽美新創Substrate挑戰ASML 以X光光刻技術切入2奈米製程

美新創Substrate挑戰ASML 以X光光刻技術切入2奈米製程

Editorial Team

根據《路透社》報導,美國舊金山新創公司 Substrate 宣稱已開發出可與 ASML 極紫外光(EUV)光刻機匹敵的晶片製造系統,並以「重塑美國高階晶片製造能量」為目標。這項技術的野心不僅在於挑戰荷蘭巨頭 ASML 的技術壟斷,更意圖在地緣政治與供應鏈重整的背景下,打造美國版的晶片製造體系。

與傳統的 EUV 光刻不同,Substrate 採用粒子加速器產生短波長 X 光,取代雷射產生的極紫外光源。《彭博社》指出,該公司聲稱這種方法能生成更窄、更穩定的光束,實現更高解析度的線寬刻蝕,理論上可支援 2 奈米 製程,甚至進一步突破現有製程極限。根據《金融時報》,Substrate 已於美國國家實驗室展示原型機,創辦人 James Proud 表示,若技術成熟,晶圓生產成本有望在本世代末從每片約 10 萬美元降至 1 萬美元。

打破光刻霸權:機會與挑戰並存

ASML 目前為全球唯一能量產 EUV 設備的公司,其光刻機單價超過 3 億美元,且供應極為有限,使得全球晶圓代工龍頭如 TSMC、三星、英特爾皆依賴其供應。若 Substrate 的 X 光光刻技術能如其所述穩定運作,將對全球先進製程市場帶來顛覆性影響,不僅可分散對 ASML 的依賴,也可能改寫晶片製造的地緣政治格局。

然而,產業專家指出,從概念性展示到實際量產仍有漫長距離。X 光光刻的能耗、設備穩定性與成本控制都尚未驗證,尤其是量產線的良率與維護需求,可能成為商業化的最大挑戰。(原文出處

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