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韓國 SK海力士於今（9月3）日在其龍山 M16 廠完成首台高數值孔徑（High‑NA）極紫外線（EUV）曝光系統的組裝儀式，這是全球首款針對量產設計的 High‑NA EUV 設備 ASML 的 TWINSCAN EXE:5200B（高數值孔徑值由 0.33 提升至 0.55）正式投入產線。
M16廠首裝High‑NA EUV 打造記憶體製程新紀元
此 High‑NA EUV 工具可將電晶體尺寸縮小 1.7 倍，晶體管密度提升 2.9 倍，縮短製程節距、提升密度與效能，成為迎戰 AI 與下一代運算需求的重要技術平台。SK海力士自 2021 年導入 EUV 製程（1anm 10nm 技術）以來，持續擴大應用範圍，而如今藉由這項高解析率設備，將加速其先進 DRAM 的開發步伐，強化其在高價值 AI記憶體市場的競爭力與成本優勢。
SK海力士裝機 High‑NA EUV 系統，是記憶體製程領域的一大里程碑。不僅證明其技術戰略布局的果敢與前瞻，更顯示其正積極擺脫追隨策略，邁向主導 AI 記憶體的自主陣營。當台積電與三星等 IDM 與代工廠已布局次世代節點，SK海力士若能將新設備與自身製程技術深度整合，並提升良率及量產效率，便有望在記憶體市場中重新獲得主導權。然而，高額資本支出與高難度良率管控帶來的壓力，也要求其快速兌現這項設備的價值，才能真正轉化為市場競爭力與獲利動能。（原文出處）
