2
文章目錄
2025年SK AI高峰會上，SK hynix正式揭露橫跨2026至2031年的記憶體技術藍圖，劃分為兩個階段推進。首階段（2026–2028）聚焦AI專用記憶體創新與HBM4E量產，次階段（2029–2031）則邁向HBM5與400層以上NAND的研發，顯示該公司正以人工智慧為核心推動下一波記憶體技術革新。
AI記憶體創新成長動能
根據《Wccftech》報導，SK hynix計畫在2026至2028年間推出HBM4 16-Hi及HBM4E 8/12/16-Hi系列，並同步開發客製化HBM4E，採用控制器整合至基板晶片（base die）的新架構，以減少功耗並提升運算效率。公司同時將與台積電合作，共同開發客製化HBM及基板晶片，以因應AI伺服器與GPU對高速記憶體的強勁需求。
此外，該階段還將推出LPDDR6、第二代CXL LPDDR6-PIM、MRDIMM Gen2、LPDDR5X SoCAMM2等多款AI導向DRAM方案；在NAND產品線上，則規劃推出PCIe Gen5/Gen6 eSSD與最高達245TB的QLC儲存方案，並推出主打AI應用的「AI-N」系列產品，進一步完善AI運算生態系。
邁向HBM5與次世代標準
展望2029至2031年，SK hynix將啟動HBM5與HBM5E的開發計畫，同時推進GDDR7-next與DDR6，以支撐高階GPU與資料中心的帶寬需求。業界預期，GDDR7仍將主導未來數年顯示卡市場，而DDR6則可能在筆電與桌機應用上延後普及。
業界分析指出，SK hynix此次藍圖展現其從「記憶體製造商」向「AI運算核心供應者」轉型的決心。透過客製化、高頻寬與AI最佳化設計，該公司正加速鞏固其在次世代AI晶片供應鏈中的關鍵地位。（原文出處）
