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三安（San’an）於8月27日在其投資者關係平台上宣布，其位於湖南的8吋碳化矽（SiC）晶片生產線已正式投產；這條產線從開工建設到正式運作，全程不到一年，比預期進度更快落成。目前，湖南三安已建立相對完整的SiC產業鏈：6吋 SiC月產能達16,000片晶圓，8吋晶圓基板與外延月產能分別為1,000片與2,000片，另外也布局了GaN-on-Si （氮化鎵在矽基板上）晶片，月產能2,000片。此項SiC項目總投資額為人民幣160億元，目標建構以6吋與8吋互通兼容的整合量產平台，新廠全面量產後，年產量可達36萬片6吋與48萬片8吋SiC晶圓。
流程提速顯成效，構築碳化矽自主供應鏈
三安於短時間內成功投產8吋SiC產線，展示中國半導體供應鏈在新能源晶片領域加快自主化布局的決心。SiC晶片應用廣泛，包括電動車、高效能電力電子與綠色能源基礎設施，具有極高市場潛力。三安若能穩定推進垂直一體化生產與提升良率，未來不但能強化國內新能源供應鏈，也具有進一步提升全球競爭力的機會。然而，目前需克服的挑戰之一為確保8吋SiC的成熟度與整體成本；對上游設備與材料依賴是否能逐步壓降，將成為量產平台成功關鍵。（原文出處）
