Sandisk自2025年2月Western Digital獨立分拆後，迅速展現其在記憶體領域的技術野心。該公司正積極投入3D NAND快閃記憶體的創新開發，並聲稱這項技術未來有望取代目前主流的DRAM型高頻寬記憶體（HBM），特別是在AI推論應用方面。
半導體記憶體新勢力3D矩陣記憶體進軍AI應用
在分拆前夕的Sandisk投資人日（2月11日）上，新任記憶體技術資深副總裁Alper Ilkbahar提出了兩項未來關鍵技術：高頻寬快閃記憶體與3D矩陣記憶體（3D Matrix Memory）。這些新型態記憶體技術的核心目標，是突破現有DRAM架構在AI推論場景中的瓶頸，提供更具可擴展性、低功耗且成本效益更佳的選項。
傳統上，AI系統在進行推論運算時高度依賴HBM來提供高速資料存取，但HBM製程複雜、成本高昂，且受限於封裝體積與功耗限制。Sandisk的構想則是透過重構3D NAND的架構，開發出具有類似高頻寬特性的新型快閃記憶體，以實現HBM級別的資料吞吐量。
3D矩陣記憶體的概念，基於堆疊式記憶體結構，進一步提升每單位面積可容納的儲存容量與頻寬，同時強化隨機存取速度。這種記憶體有望解決目前DRAM在AI領域所面臨的容量與效率瓶頸，讓AI加速器與伺服器能夠更快、更有效率地處理龐大的神經網絡模型。
Sandisk的這項技術若能成功商用，將對整個半導體記憶體市場產生深遠影響。除了有可能改變AI伺服器記憶體架構的設計邏輯，也為3D NAND技術開啟新的應用可能，不再僅限於儲存裝置，更邁向高效能運算領域。
展望未來，隨著AI應用需求不斷上升，記憶體的速度與容量成為決勝關鍵。Sandisk若能成功落實其3D矩陣記憶體技術，將有潛力成為改寫記憶體產業格局的新勢力，並進一步推動半導體產業進入記憶體運算整合的新時代。（原文出處）
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