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羅姆半導體今日宣布推出 BM6GD11BFJ‑LB，一款專為 600V 級高壓 GaN HEMT 設計的隔離閘極驅動 IC。搭配 GaN 裝置後，該驅動 IC 能在高頻高速切換條件下維持穩定運作，顯著提升伺服器電源、工業級馬達等高電流應用的效率與體積小型化。
創新隔離技術 強化高頻優勢
面對不斷攀升的全球能源消耗需求，提高電力系統效率已成當務之急——電機與電源設備據估佔全球用電量約97%。羅姆經由多年積累的隔離驅動 IC 技術，融合其在 Si 與 SiC 產品的研發經驗，推出首款針對 GaN 裝置優化的系列產品。這款 IC 透過晶片內隔離設計有效削減寄生電容，支援高達2MHz高頻切換，強化 GaN 材料在能效與性能的優勢，同時縮小外部元件尺寸，提升整體系統整合度與小型化能力。
ROHM 此次推出的 BM6GD11BFJ‑LB 不僅是其 GaN 生態佈局的重要里程碑，也反映出功率電子設計的未來趨勢——以高頻開關與高效率為核心，驅動週邊車用、伺服器與工業設備等高耗能領域轉型。若該驅動器能在後續使用中展現長期穩定性與量產應用，也將為羅姆在高功率、高頻市場奠定技術領先地位，也有望加速整體電力系統的小型化與智慧化進程。(原文出處)
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