日本新創晶圓代工公司 Rapidus Corporation 宣布，其位於北海道千歲市的「Innovative Integration for Manufacturing」（IIM‑1）先進製造基地已正式開始 2奈米 GAA（Gate-All-Around）電晶體的試產，並順利取得首批原型晶圓的電性特性。Rapidus 自 2023 年 9 月動工以來，已於 2024 年完成無塵廠建設，2024 年 12 月安裝 ASML EUV 光刻機，2025 年 4 月首次曝光完成，並快速連接超過 200 台最先進設備，成為日本首座具備量產潛力之 2nm 晶圓廠。
IIM‑1啟動2nm試產，單片流程再造產線效率
Rapidus 採用業界領先的 單片前段處理流程（single-wafer processing），放棄傳統批次處理方式，可針對每片晶圓進行即時調整、資料回饋與 AI 優化，提升良率與製造彈性，成為其「快速且統一的製造服務（Rapid and Unified Manufacturing Service, RUMS）」的核心理念。為了協助客戶開發，Rapidus 將於 2026 年第一季發布適用於 2nm 製程的 Process Design Kit（PDK），並開啟客戶原型晶片設計環境；大規模量產則預計在 2027 年啟動。
Rapidus 的這項進展，標誌著日本重新點燃半導體先進製程的野心，其創新「單片流程」與自主 2nm GAA 技術的整合，是對台積電與三星等強敵的直接挑戰。然而，全球 2nm 製程由三星、台積電主導，Rapidus 的追趕之路依然艱辛。關鍵在於其是否能透過 RUMS 與高精度 PDK 建構獨特競爭力，並快速提升良率與產能，避免重蹈過往代工失利覆轍。若成功，Rapidus 有機會將日本推入全球先進半導體供應鏈核心，成為新興的製造實驗場與科技突破基地。（原文出處）
