美國功率半導體領導廠商Navitas Technologies於近日震撼業界，正式發表650V雙向GaNFast整合晶片（IC）與高速隔離式閘極驅動器（IsoFast），為電動車（EV）路邊與車載充電器及馬達驅動應用帶來一場關鍵技術革新。這款新產品專為單級雙向開關（BDS）轉換器設計，可大幅提升AC-DC與AC-AC轉換效率、功率密度與整體性能。
Navitas此次的技術升級，不僅讓電力轉換更為簡潔高效，也象徵著雙向氮化鎵（GaN）應用邁入全新階段。
在傳統架構中，雙向電力轉換需要兩組獨立的開關元件，以背對背方式進行操作，不僅占空間，還需要額外的電容與電感元件輔助。然而，Navitas的雙向GaNFast晶片徹底打破這一模式，透過單晶片整合設計，將兩個開關合而為一，實現更高速、高效率的電力傳輸，同時節省電路板空間並降低系統成本。
新晶片採用尖端的單晶片結構（monolithic integration），具備合併漏極結構（merged drain）、雙閘極控制及內建主動式基板保護（active substrate clamp），其創新設計使一顆GaNFast晶片就能取代最多四顆傳統開關元件，無疑為系統簡化與性能提升提供了極大優勢。
「電」動未來加速來臨 為EV與馬達應用帶來全面升級
這項新技術對於電動車領域特別具備顯著意義。隨著全球推動低碳出行與可持續交通，路邊與車載充電器的效率與尺寸成為產業升級的關鍵指標。透過單級雙向架構與GaNFast晶片的應用，不僅能加速充電時間，還能降低充電器的體積與重量，提升整車的空間運用效率。
同時，在馬達驅動系統上，這種高速、高頻率運作的GaN解決方案，亦能實現更靈敏、更節能的運行模式，對於高精度的機器人控制、電動工具及智能家居設備等應用同樣具有吸引力。
Navitas強調，這款雙向GaNFast晶片與IsoFast驅動器的組合，代表著功率電子進入高整合、高效率的新紀元，也預示著未來更多電力應用將朝向更輕薄、更智慧、更環保的方向發展。（原文出處）
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