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日本楢川齊市的 KIOXIA Iwate 公司將於今年9月下旬，展開對名古屋大學新創企業 Photo electron Soul Inc.（PeS）與其研究機構天野–本田實驗室共同研製的 氮化鎵（GaN）基電子束檢測技術 的生產線評估。該技術使用 GaN 光電陰極發射電子，搭配 PeS 所研發的 electron gun，能突破傳統方式無法深入高縱深結構的瓶頸，實現對奈米級電晶體與縱深結構的非接觸式電性 I&M（巡檢與計量）。這一創新不僅提升對前端製程中的缺陷偵測能力，也強化高長寬比結構內部的成膜與殘留物觀測效能，預期可顯著提升製程良率與根因分析的精準度。
PeS 所開發的 GaN 電子束GaN 電子束助攻 高縱深結構非接觸檢測邁入實用化
檢測系統如能實現量產導入，將為半導體製造I&M領域帶來革命性轉變。其特色包括高耐用性 GaN 光電陰極、精準且可控的 Digital Selective e‑Beaming（DSeB）與 Yield Controlled e‑Beaming（YCeB），可望克服高縱深與極縮製程下傳統檢測技術的困境。若驗證成功，KIOXIA 將藉此強化3D NAND 的製程穩定性與競爭優勢，亦在台、韓記憶體供應商中保持領先。這案例亦示範了國際晶片大廠與學研新創的合作潛力，是半導體產學共創模式值得其他廠商參考的樣板。（原文出處）
