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大日本印刷（DNP）近日宣布，成功開發線寬達 10 奈米的奈米壓印微影（NIL）技術，目標支援 1.4nm 等級的先進邏輯製程，並已啟動客戶評估，預計 2027 年導入量產。該技術可望應用於智慧型手機、資料中心與 NAND Flash 等高效能晶片，為先進製程提供不同於主流 EUV 的新選項。
EUV 成本與能耗壓力，逼出替代路線
隨著終端裝置效能持續提升，對先進邏輯節點的需求不斷攀升，也推動 EUV 微影持續升級。然而，EUV 設備投資金額龐大、製程能耗高，對晶圓廠的資本與永續目標形成雙重壓力。在此背景下，產業開始思考：是否每一道關鍵製程，都必須完全依賴 EUV？
DNP 的解法是深耕多年的奈米壓印技術。NIL 透過「直接壓印」方式，將電路圖形轉寫到基板上，省去部分高能耗曝光流程，有機會在特定層級降低能耗並優化成本。值得注意的是，DNP 自 2003 年投入研發，歷經二十多年才將精度推進至 10 奈米線寬，顯示這並非短期追趕，而是長期技術累積的成果。
從產業角度看，奈米壓印不太可能全面取代 EUV，但有望成為先進製程的「補位工具」。未來晶片製造或將採取混合路線，依不同層級與功能，靈活搭配 EUV 與 NIL。在摩爾定律放緩、成本壓力升高的時代，誰能在效能、成本與永續之間取得平衡，誰就能在下一階段的先進製程競賽中占得先機。（原文出處）
