德國半導體大廠英飛凌科技（Infineon Technologies AG）宣布推出旗下首款自行研發製造的耐輻射氮化鎵（GaN）電晶體，正式揭開新一代高可靠性太空電子元件的序幕。此款元件採用英飛凌自家的CoolGan技術，並在自有晶圓廠生產，成功取得美國國防後勤署（DLA）依據「聯合陸海軍太空」（JANS）規範MIL-PRF-19500/794頒發的最高等級品質認證。
強化太空任務應用 小體積高效能助力探索宇宙
這款全新的GaN高電子遷移率電晶體（HEMT）特別為太空極端環境所設計，適用於軌道運行載具、載人太空任務以及深空探測計畫等高風險任務。憑藉氮化鎵材料優異的熱管理與高功率密度特性，加上英飛凌超過五十年的高可靠性應用經驗，該產品不僅能有效降低元件尺寸與重量，更可提升太空裝置整體性能與穩定性。
英飛凌表示，這一系列產品的問世，標誌著公司從傳統矽基MOSFET產品，成功擴展至更先進的GaN電力元件領域，為航太級電源管理提供完整解決方案。此舉不僅鞏固其在太空應用市場的領導地位，更彰顯其自製晶圓產線在品質控制與技術創新上的強大優勢。
業界觀察指出，隨著太空商業化與國際太空任務頻率上升，對於體積小、耐輻射、效率高的電子元件需求急遽增長。英飛凌此次布局，無疑為太空電力系統注入新動能，也預示氮化鎵技術未來在尖端應用領域的巨大潛力。（原文出處）
延伸閱讀