2
比利時奈米電子研究中心 imec 宣布將於 2026 年 4 月迎來新任執行長 Patrick Vandenameele，同時發布在 High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光刻） 的最新突破。此成果展現 imec 對 AI 晶片製造需求的回應，也凸顯其在先進製程藍圖上的關鍵地位。
單次曝光寫下新里程碑
imec 成功展示 20 奈米間距線條結構，其中 13 奈米端對端臨界尺寸（T2T CD） 的局部均勻性（LCDU）低至 3 奈米，為產業新里程碑。團隊也驗證了釕（Ru）金屬直接蝕刻與單次 High-NA EUV 曝光的相容性，並成功製作 20 奈米與 18 奈米間距金屬線條，其中 20 奈米間距結構在電性測試中達到 100% 良率。
imec 高級副總裁 Steven Scheer 指出，單次曝光技術能減少多重圖樣化製程，大幅降低成本、提升良率並減少環境衝擊。這也突顯 imec 與 ASML 的合作，正加速 High-NA EUV 的量產化進程，為 亞 2 奈米製程 奠定基礎。
此一突破對半導體產業意義重大。隨著 AI 與高效能運算需求不斷推升，傳統製程漸顯吃力。誰能率先將 High-NA EUV 單次曝光技術商業化，不僅將掌握 2 奈米以下節點的主導權，更將決定未來 AI 晶片的算力邊界。（原文出處）
