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美國廠商 iDEAL Semiconductor 宣布其採用 SuperQ™ 技術 的 200 V 系列 MOSFET 正式邁入量產階段，並有四款新型 200 V 裝置同步進入取樣階段。SuperQ 是超越經典 MOSFET 架構的重要突破，將導通區面積提升至 95%，同時降低切換損耗達 2.1 倍，顯著優化效能與效率。
首款達到量產的 200 V 產品型號 iS20M028S1P 採用 TO-220 封裝，導通電阻高達 25 mΩ。更令業界驚豔的是 iDEAL 新一批取樣設備，在 TOLL 和 D²PAK-7L 封裝中，其最高 R<sub>DS(on)</sub> 低至 5.5 mΩ，分別比現有領先產品低 1.2 倍、次佳產品低 1.7 倍，創下業界新基準。
200 V SuperQ MOSFET進入量產 開啟矽功率元件新篇章
iDEAL 搶先將 SuperQ 推向商業量產，扭轉「矽功率元件技術停滯」的產業刻板印象。相較於廣泛被看好的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），SuperQ 融合了矽元件成熟製程、生產彈性和成本優勢的獨特價值，在高電壓功率市場中具備強烈差異化潛力。尤其針對 AI 資料中心、工業及綠能應用，這類效能極致提升且具可用性的新架構，非常值得全球設計者與供應鏈關注與採用。
iDEAL 已與全球分銷商簽署合作協議，確立 SuperQ 在國際市場的布局。未來能否建立穩定量產能力與良率，並在 250 V 以上電壓區段（如 300 V、400 V）保持技術領先，將左右其成長幅度。若進展順利，SuperQ 有望重新定義主流功率元件應用，成為功率電子領域下一代標準。（原文出處）
