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南韓《韓國經濟日報》報導，三星電子將於今年底迎來首台高數值孔徑極紫外光刻（High-NA EUV）設備 Twinscan EXE:5200B，第二台則預計於 2026 年上半年交付。這兩台設備將是三星首度導入可量產的高NA EUV 系統，顯示其在先進製程領域加速布局。
2奈米製程進入量產倒數
目前三星在華城園區已有一台用於研究的高NA EUV 原型機，新設備將直接投入 2 奈米製程生產線，應用於 Exynos 2600 手機處理器與 Tesla 新一代 AI 晶片的製造。同時，也將支援三星研發中的垂直通道電晶體（VCT）DRAM，這款記憶體結合高效能與低功耗設計，預計於 2027 年量產。
報導指出，三星為這兩台設備投資約 1.1 兆韓元（約 7.7 億美元）。高NA EUV 的數值孔徑由 0.33 提升至 0.55，可繪製出約 1.7 倍更細緻的電路圖樣，突破現有 EUV 的解析極限，對推進次世代晶片製程至關重要。
與此同時，台積電（TSMC）仍處於研發與測試階段，尚未投入商業生產；SK hynix 則已於 9 月確認採購量產型高NA EUV 設備。三星因此成為全球少數同時具備邏輯晶片與記憶體高NA EUV 量產準備的企業。
業界認為，三星此舉不僅是技術升級，更代表其在 AI 與高效能運算市場的長期佈局。隨著生成式 AI 帶動微縮製程與能效需求，高NA EUV 將是下一波製程競爭的關鍵門票，也讓 2026 年有望成為全球晶片產業的重要轉折點。（原文出處）
