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全球高頻寬記憶體（HBM）競賽正式進入白熱化階段。SK 海力士、三星電子與美光科技三強正為搶占估值高達 1,000 億美元（約新台幣 3.3 兆元）的 HBM4 市場而短兵相接，這場爭奪戰不僅關乎晶片效能，更牽動整個 AI 時代的運算版圖。
美光搶先出擊 宣示技術超越標準
繼 SK 海力士於上月完成 HBM4 量產體系建構後，三星也緊隨其後啟動量產準備。然而，最先丟出震撼彈的，是美光科技（Micron）。該公司宣布，其新一代 HBM4 記憶體已正式出貨樣品，並刷新業界紀錄。根據美光執行長 Sanjay Mehrotra 表示，HBM4 模組的頻寬突破 2.8TB/s、針腳速率達 11Gbps，遠超越 JEDEC 官方標準的 2TB/s 與 8Gbps。
美光強調，其 12-Hi HBM4 樣品搭載自研 1-gamma DRAM 與 CMOS 封裝創新技術，不僅效能領先，更具備同級最佳的能效比。公司同時透露，已與關鍵客戶展開平台導入，顯示產品量產進度領先同業。
客製化成勝負關鍵 HBM4E開啟新商模
更具戰略意義的是，美光同步公布 HBM4E 客製化版本，允許客戶針對邏輯晶片層（Logic Die）進行設計調校。Mehrotra 指出，這項技術與台積電合作開發，可讓 NVIDIA、AMD 等客戶依據自身 AI 加速器架構，優化延遲與資料傳輸路徑，並有望帶來更高毛利率。
對照來看，三星正以龐大的製程優勢擴充生產線，SK 海力士則以先進堆疊良率維持龍頭地位。三強鼎立的態勢顯示，HBM4 已不只是記憶體產品，而是 AI 基礎設施競賽的核心武器。
業界觀察認為，誰能率先在 HBM4 與 HBM4E 技術上取得量產與成本平衡，誰就可能在未來的 AI 晶片市場中，奠定下一個十年的領導地位。（原文出處）
