印度首座 SiC 晶圓廠落地 助力電力半導體自主化

印度政府正式核准該國首座碳化矽（SiC）晶圓製造單位，由金奈的 SicSem Private Limited 搭配蘇格蘭 Clas-SiC Wafer Fab 合作，在奧里薩邦 Bhubaneswar 建設總投資額達 206.6 億印度盧比的 SiC 晶圓廠。該廠每年將具備 60,000 片晶圓產能，並能封裝達 9,600 萬顆晶片。這是印度首座商用複合半導體晶圓廠，同時，塔塔集團在古吉拉特邦 Dholera 推動的 9,100 億盧比矽晶圓專案，則聚焦於傳統矽晶圓製造。印度電子資訊科技部表示，下階段的「印度半導體任務」（ISM 2.0）將把 SiC 晶圓製造列為策略性重點，以應對 SiC 在高電壓、高頻、高溫電力電子應用的重要角色。

Bhubaneswar 設首座 SiC 晶圓廠 打造複合半導體產業新核心

SicSem 主導的 SiC 晶圓廠是一個重要突破，標誌著印度首次進入具備關鍵技術含量的功率半導體製造領域。相較於政府大手筆支持的傳統矽產線，凸顯印度正從代工導向轉型為更具價值創造力的半導體國家。然而，真正挑戰在於 SiC 相關材料供應、生產良率與技术積累。若能同步建構完善產業鏈，將助印度在新能源、電動車與工業驅動應用領域奠定不容忽視的戰略布局。（原文出處）