台積電穩步推進A14製程,預計2028年量產延後導入高NA EUV技術

TSMC(創用CC授權)

台積電在近期舉辦的一場研討會上宣布,預計於2028年進入A14製程的量產階段。這項製程技術將在不依賴高數值孔徑極紫外光微影設備的前提下,依然能夠維持與目前技術相當的製程複雜度與效能。此策略展現出台積電在技術升級上的穩健步調,也反映其持續優化既有低NA EUV設備的方針。

A14延續低NA路線穩中求進與Intel形成強烈對比

根據台積電業務開發資深副總裁張曉強表示,從2奈米製程一路到A14,皆無需使用高NA EUV設備,卻能持續維持穩定的製程水準與步驟複雜性。這說明台積電在技術演進過程中,選擇以成熟、可控的技術路線推進製程節點,而非急於採用尚未完全商用化的新設備。

這樣的策略明顯有別於競爭對手Intel。Intel近年來積極追趕晶圓代工市場的領先者台積電與三星,並率先取得高NA EUV設備。該公司計劃於2025年開始以此技術量產其18A製程晶片,顯示其在技術導入上採取更為積極的態度。

台積電之所以延後導入高NA技術,與設備的高昂成本息息相關。由ASML獨家供應的高NA EUV曝光機,每台價格高達3.8億美元,遠高於前一代低NA機型的1.8億美元。如此鉅額的投資對於大規模量產來說,是一項相當謹慎且需充分評估的決策。

此外,高NA EUV目前仍處於發展初期,相關製程的良率、設備穩定性與維護成本尚未完全優化。台積電長期以來秉持穩健導入策略,傾向在技術成熟、成本合理且產能穩定時才全面導入,以確保產線效益與客戶利益。

整體而言,台積電此次釋出的A14製程計畫再次凸顯其對市場節奏的掌握與長期策略的堅持。即便面對來自對手的壓力,台積電仍選擇穩紮穩打的升級路線,顯示其作為全球領導廠的技術定力與經營智慧。(原文出處

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