NEO半導體公司近日再度引發業界關注，宣布推出兩款全新3D X-DRAM記憶體儲存單元設計——1T1C（單電晶體單電容）與3T0C（三電晶體無電容）架構，預計2026年將生產概念驗證晶片。此項創新被寄予厚望，有望徹底改變當前動態隨機存取記憶體（DRAM）的容量與效能標準。
採用IGZO材料堆疊設計 實現容量與效率雙突破
根據NEO半導體表示，這兩款新設計均建構於其既有的3D X-DRAM技術之上，預估單一模組可儲存高達512Gb（約64GB）的資料，容量是目前主流DRAM模組的10倍之多。根據模擬測試結果，其讀寫速度可達10奈秒，資料保持時間更長達9分鐘，展現出業界領先的效能指標。
本次推出的記憶體單元設計之所以突破傳統限制，關鍵在於其採用了鉍鎵鋅氧（IGZO）晶體材料。IGZO廣泛應用於顯示技術，NEO將其創新性地運用於記憶體架構，使儲存單元能以類似3D NAND的堆疊方式構築。這種垂直堆疊的設計不僅能顯著提升單位面積的儲存密度，也有助於強化資料處理吞吐量，同時維持低功耗表現。
NEO同時強調，這項新架構是在現有3D NAND製程的基礎上進行調整與優化，意味著現有的3D NAND生產設施有機會快速轉型，投入3D X-DRAM量產，進一步縮短新技術進入市場的時間。
隨著AI、高效能運算與資料中心對高速、高密度記憶體的需求日益攀升，NEO的新技術正好切中產業痛點，為未來記憶體發展提供了新的可能。若技術實驗與量產規劃順利實現，3D X-DRAM有望成為繼3D NAND之後的下一波記憶體革命，引領整個半導體產業進入新篇章。（原文出處）
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