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AI 熱潮帶動高頻寬記憶體（HBM）需求暴增，推升南韓記憶體廠營運表現。外界關注，三星電子在 HBM 產品重新設計後逐步追回競爭力，並有望在今年第四季重返 DRAM 市場領先位置。
追上只是一半，量產才是關鍵
產業觀察指出，三星先前因 HBM 開發節奏落後，一度被 SK 海力士拉開差距，甚至在 HBM 市占上落後於美光。轉折點出現在第三季：三星的 HBM3E 在重新設計後獲得正面評價，並透過供應 Google、AMD 等客戶拉升出貨，同時通過 NVIDIA 的品質測試，帶動市占回升。報導引述研究機構數據，三星 HBM 市占由第二季 15% 回升至第三季 22%，並重回第二名，整體 DRAM 市占差距也明顯收斂。
更受矚目的是下一代 HBM4。市場傳出三星在 NVIDIA 的 SiP（System-in-Package）測試中取得高評價，並預期明年出貨將大幅成長。對三星而言，HBM 不僅是單一產品線，而是攸關 DRAM 市占、獲利結構與客戶關係的核心戰場。
不過，真正的勝負仍在「驗證後的量產交付」。HBM 競爭不只拼規格，還要拼良率、封裝整合與供應穩定度；一旦量產節奏或成本曲線不如預期，市占反彈可能很快遇到天花板。換言之，三星已把差距追近，但能否把驗證通關轉化為長期穩定出貨，才是能否坐穩王座的最後一哩路。（原文出處）
