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在半導體產業減碳壓力持續升高之際，製程氣體的轉型正逐漸成為關鍵突破口。於 12 月 17 至 19 日舉行的 SEMICON Japan 2025 上，由 Samsung Semiconductor 與 Daikin 共同開發的 G2 製程氣體首度對外亮相。這項合作成果，不僅象徵材料端創新的進展，也反映晶片大廠正從源頭著手，回應碳排與法規的長期挑戰。
從替代氣體著手，減碳走向系統化
半導體製造中，CF₄、CHF₃ 與 C₄F₈ 等含氟氣體，長期被視為溫室氣體排放的重要來源。Samsung Semiconductor 近年透過與材料與設備供應商的協作，將這些高全球暖化潛勢（GWP）的氣體列為優先改善對象，並以結構化流程評估替代方案，涵蓋材料與設備相容性測試、實驗室驗證及量產線導入。這種從研發到製造端同步推進的方式，使低碳氣體不再停留於實驗階段。
在實際應用上，這些替代氣體主要用於蝕刻（Etching）製程。取代 C₄F₈ 的 G1 氣體自 2018 年起已投入使用；取代 CF₄、幾乎可達 100% GWP 降幅的 G3 氣體，亦於 2025 年開始在產線導入。此次發表的 G2 氣體，則是針對 CHF₃ 的替代方案，預計自 2026 年起正式應用，約可降低九成相關溫室氣體排放，補齊減碳版圖的最後一塊。
這些替代氣體並非僅限於 Samsung 內部使用，而是對整個半導體產業開放，試圖放大單一企業行動的外溢效應。同時，透過與設備商持續合作，既有設備的能效升級與新廠低功耗元件的開發，也同步推進，進一步延伸至 Scope 2 排放的改善。
這項進展顯示，半導體產業的減碳路徑正逐步從宣示走向可複製的技術方案。製程氣體的轉型雖難以一蹴可幾，卻可能成為產業在高耗能結構下，少數能同時兼顧良率、效率與永續的現實解方。（原文出處）
