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韓美半導體（Hanmi Semiconductor）11月4日宣布，將於2026年底正式推出針對次世代高頻寬記憶體（HBM）的新型封裝設備「Wide TC Bonder」。業界預期，該設備將率先應用於第八代HBM5產品，為記憶體堆疊技術帶來重大轉折。這一布局被視為韓美提前卡位新一輪HBM製程變革的關鍵一步。
突破垂直堆疊極限 邁向「寬型HBM」時代
TC Bonder是HBM封裝過程中不可或缺的核心設備，用於在垂直堆疊DRAM晶片時以高溫與壓力進行精密貼合。然而，隨著AI運算需求飆升，HBM需支撐更大容量與更高速傳輸，傳統20層以上的垂直堆疊方式已達技術瓶頸。為突破限制，產業正轉向「Wide HBM」架構——透過橫向擴展晶片面積以增加容量，同時維持穩定的散熱與訊號品質。
韓美半導體指出，Wide TC Bonder將支援新一代HBM橫向封裝結構，具備更高精度與更寬晶片貼合能力，能有效減少應力、提升良率，並支援多晶片堆疊與異質整合設計。該公司預計在2026年底起向主要客戶供貨，為AI與高效能運算（HPC）領域的HBM供應鏈注入新動能。（原文出處）
