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印度奧里薩邦（Odisha）在半導體發展史上迎來關鍵一步。10月26日，印度首席部長莫罕・查蘭・馬吉（Mohan Charan Majhi）主持了全國首座「端到端碳化矽（SiC）晶片製造廠」動土典禮，標誌著印度正式邁入高階化合物半導體製造領域。該工廠由 SiCSem Private Limited 與英國 Clas-SiC Wafer Fab Ltd. 合作建立，總投資額達 2067億盧比（約新台幣860億元），預計將在首都布巴內斯瓦爾（Bhubaneswar）郊區的 Info Valley 工業園區落成。
根據官方規劃，該廠將具備每年 6萬片晶圓 的生產能力，以及 9600萬顆晶片封裝的處理產能，產品涵蓋導彈、國防裝備、電動車、鐵路動力系統、快速充電器、資料中心、家電與太陽能逆變器等多領域應用。此計畫不僅創造約 5000個直接與間接就業機會，更象徵印度邁出從「設計國」到「製造國」的轉型步伐。
從代工依賴到戰略自主：印度的半導體野心
過去，印度雖以軟體與晶片設計聞名，但在晶片製造領域長期依賴進口。此次碳化矽晶片廠的落成，代表印度試圖擺脫在全球半導體供應鏈中的弱勢位置，建立屬於自己的製造實力。碳化矽技術被視為第三代半導體核心材料，具高導熱、高耐壓與高效率特性，是電動車與新能源產業的關鍵基礎。
這項投資同時也呼應印度中央政府推動的 「半導體使命（India Semiconductor Mission）」 政策，透過公私協力與國際技術合作，打造自主可控的晶片供應鏈。（原文出處）
