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美國晶片大廠英特爾（Intel）宣布，其最新世代18A製程正式進入高量產（HVM）階段，成為全球首家達到2奈米級量產里程碑的公司。這項消息於10月9日（美國時間）發布，正值英特爾首次公開亞利桑那州新廠「Fab 52」，該廠採用極紫外光（EUV）光刻技術，被視為美國半導體復興計畫的象徵。
新架構「RibbonFET」領航製程競賽
所謂「18A」意指1.8埃（約1.8奈米），在技術命名上略小於台積電（TSMC）與三星電子（Samsung Electronics）正在開發的2奈米節點。英特爾強調，該製程採用全新「全環柵」（GAA）架構的RibbonFET電晶體設計，能在相同面積下提供更高效能與更低功耗，並結合PowerVia背面供電技術以提升訊號傳輸效率。
英特爾晶圓代工服務事業群（IFS）資深副總裁 Kevin O’Buckley 表示，目前18A製程已在亞利桑那與奧勒岡兩地投產，並強調：「我們能自信地說，英特爾是唯一在美國本土研發與生產2奈米晶片的公司。」此舉不僅鞏固其在先進製程上的競爭地位，也回應了美國政府推動半導體在地化生產的政策目標。
業界觀察，英特爾此舉意在重拾製程領先優勢，與台積電、三星形成「三強對決」格局。雖然目前台積電2奈米預計於2025年量產，三星則力拼同步啟動，但英特爾若能穩定良率並吸引外部客戶代工，將有望重新奪回過去失落的技術主導權，也為美國半導體製造實力注入新的信心與象徵性力量。（原文出處）
