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據《彭博》報導，日本快閃記憶體大廠 Kioxia 預期 NAND 儲存需求將以每年約 20% 的速度成長，主要受生成式 AI 與超大規模資料中心需求推動。為因應這股浪潮，公司宣布位於 岩手縣北上工廠的 Fab2（K2 廠） 已正式啟用，並將隨市場狀況逐步擴產，預計在 2026 年上半年 釋出具體產能。
第八代3D快閃記憶體布局
Kioxia 表示，Fab2 已具備生產 第八代 218 層 3D 快閃記憶體 的能力，並採用 CBA（CMOS directly Bonded to Array） 技術，未來亦能支援更先進的 3D Flash 節點，滿足 AI 帶動的龐大儲存需求。執行副總裁 渡邊智治 指出，需求來自超大規模雲端業者（hyperscalers），尤其在生成式 AI 推動下，對高效能記憶體的需求持續攀升。Kioxia 也正以「逐月檢視投資」的方式，確保新廠能跟上市場腳步。
從產業競局來看，Kioxia 正積極透過北上與四日市兩大基地擴充產能，目標在五年內將記憶體產出翻倍，以縮小與三星、SK 海力士的差距。不過，NAND 產業一向高度循環，過度投資可能帶來價格壓力。如何在「搶市佔」與「維持獲利」間取得平衡，將是 Kioxia 的最大挑戰。從長遠來看，若能穩住技術與供應鏈，Kioxia 或有機會在 AI 應用爆發期翻身，成為全球快閃記憶體市場不可忽視的力量。（原文出處）
