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韓國 8 吋晶圓代工廠 SK Keyfoundry 宣布正式推出 多層厚介電層（Multi-Level Thick IMD） 製程，專為電容元件而設計，具備業界領先的高崩潰電壓特性。此技術能顯著提升數位隔離元件的安全性與可靠度，並延長半導體裝置的使用壽命，同時改善抗雜訊能力，為車用與高可靠電子領域注入新動能。
技術突破與應用潛力
該製程允許最多堆疊三層介金屬絕緣層（IMD），每層厚度最高可達 6 微米，總厚度達 18 微米，形成金屬—絕緣—金屬（MIM）結構。在此架構下，電容元件可實現 最高 19,000V 的崩潰電壓，同時維持高電容效能。新製程電容已通過主要客戶的 TDDB 壽命測試，並符合 AEC-Q100 國際汽車半導體標準，展現其在惡劣環境中長期穩定運作的能力。
SK Keyfoundry 強調，該技術可整合至 0.13 微米與 0.18 微米的 BCD 製程，特別適合車用半導體領域。此外，還提供 PDK、DRC、LPE、LVS 與 Pcell 等完整設計支援工具，加速客戶的產品開發。相較於傳統光學隔離器件，這項數位隔離方案在性能、可靠性、整合度與成本效益上都更具優勢，尤其適用於電動車、工業控制、電信與醫療裝置等高雜訊免疫需求的應用。
在電動車與工業電子快速成長的背景下，高壓、高可靠度的電容技術成為市場必爭之地。SK Keyfoundry 此次推出的多層厚介電層製程，不僅顯示其在 8 吋晶圓代工領域尋求差異化競爭的企圖，也突顯車用半導體對品質與耐用度的嚴苛要求。從長遠來看，這項技術若能大規模商用，將有助韓國晶圓代工業者在車用與工控市場中獲得更高能見度，並挑戰傳統以光隔離為主的解決方案。（原文出處）
