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SK 海力士目前為高頻寬記憶體（HBM）市場龍頭，市占達約 70%。公司先行開發多層疊堆技術，成功量產HBM3與HBM3E，現正積極擴大HBM4E產能。HBM4E結合16層DRAM晶粒，並採用先進的hybrid bonding混合鍵合技術。為了穩定量產，SK 海力士與Infinitesima合作，導入Metron3D AFM原子力顯微鏡系統進行線上製程檢測與控制。AFM能在鍵合前檢測晶片表面平整度及銅凸起深度，確保銅鍵合過程中電性連接完整，應變控制精準。
3D製程控制精準關鍵
在混合鍵合過程中，任何微米級誤差都可能導致接合失敗，AFM的亞奈米準度成為關鍵工具。Metron3D 系統可提供三維製程監控，有助SK 海力士在多重步驟中精準校正和驗證製程。據Infinitesima表示，該系統經過一段時間評估，已獲准於高量產環境正式使用，展現Sk 海力士在新世代HBM量產上的製程革新思維。未來，三星與Micron也計畫採用類似鋪堆技術，往20層DRAM堆疊發展，AFM或將成為記憶體封裝的重要檢測利器。
SK 海力士應用高準度AFM追蹤每個鍵合細節，不僅彰顯其製程實力與量產野心，也體現業界對製程監控儀器的重視—在高階記憶體時代，量產與良率提升將仰賴此類精密檢測技術。（原文出處）
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