4
新加坡於6月26日正式啟動全新氮化鎵（GaN）晶圓製造中心——國家半導體轉譯創新中心（NSTIC GaN），這是該國首座同時擁有6吋GaN-on-SiC（氮化鎵覆硅碳晶圓）和8吋GaN-on-Si（氮化鎵覆硅晶圓）製造線的設施。該中心致力於提供研發與晶圓生產，協助企業與研究機構將GaN晶片技術推向全球市場，特別應用於5G/6G通訊與衛星系統。能源及科技部部長陳時亮（Tan See Leng）表示，此舉將使新加坡躍升為少數具備先進半導體製造能力的全球科技重鎮，強化國家產業韌性與國際競爭力。
首設6吋/8吋雙線 拓展GaN製造版圖
新加坡同步部署6吋與8吋GaN晶圓生產線，展現其戰略眼光與資源整合能力。6吋線定位高可靠與高性能應用，如衛星通訊與軍規模組，而8吋線則聚焦於大批量生產，例如5G/6G通訊與電力電子元件。這種多元並進的製造佈局，不僅降低進入門檻，也為不同規模的晶片廠商提供解決方案。然而，GaN產業仍面臨研發資本高、供應鏈尚未完整的挑戰。未來，新加坡必須持續加強與在地學術單位合作、吸引國際客戶，並促進相關上下游業者集群發展，才能真正掌握全球GaN晶圓供應鏈的高地。（原文出處）
延伸閱讀
