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國家應用研究院儀器中心指出，電動車、AI伺服器與綠能設備等領域對高壓、高溫、高頻環境的需求飆升，催化碳化矽（SiC）晶圓應用。然而SiC硬度達莫氏9.2，約為矽的三倍，加工過程中刀具磨耗劇增，研磨時間延長3–5倍，晶圓破損率飆至5–10%，單片晶圓成本高達30萬元，使製造成本倍增。
奈秒雷射革新 產效激增良率升
為解決以上挑戰，研發團隊導入紅外線奈秒脈衝雷射（每秒高達10萬次）進行表層「光熱軟化」，使SiC硬度降至原本的2%，進而順利研磨與拋光。據統計，此技術令研磨效率提升30%、耗材成本從23美元降至0.1美元，晶圓破片率降至1%以下，實現量產級良率與成本效益的重大突破。此技術已與鼎極科技合作，並投入ON Semiconductor捷克廠進行機台驗證，也為未來前瞻性材料加工鋪路，如氮化鎵、陶瓷基、異質封裝等領域。
此項國研院的奈秒雷射技術，無疑為SiC晶圓製程帶來一場革命。以小額投資換取高良率，不僅提升競爭力，也有助台灣在化合物半導體領域站穩腳步。未來若能結合國際設備與晶圓廠，並進一步擴大至其他高硬度材料加工，可望打造完整高效能半導體生態，成為全球供應鏈重要一環。（原文出處）
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