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三星代工據傳將資源全面轉移至2奈米節點，並計畫2026年在德州Taylor廠啟動量產，欲搶先TSMC布局美國市場。不過，《商業時報》引述業界觀察指出，三星現行3奈米GAAFET效能相當於競爭對手的4奈米FinFET，暗示2奈米節點可能仍無法匹敵TSMC最強的3奈米FinFET世代。
3奈米表現平平 2奈米領先仍存疑
儘管三星已在3奈米GAAFET上推出首款晶片Exynos 2500，但與採用TSMC第二代3奈米（N3E）的旗艦SoC相比，仍在性能與能效上略顯落後，頻率僅達3.3GHz，相較之下N3E SoC可達3.62GHz。
此外，TSMC擴展旗下3奈米節點系列（N3X、N3C、N3A），並持續鞏固客戶信心，使其成為高階應用的首選。因此，三星即便在美國率先啟動2奈米量產，仍須在技術節點表現與客戶認同上迅速補強。
三星此舉可視為對TSMC高端製程的直接挑戰，並試圖借助美國CHIPS補貼與地緣優勢取得領先。但若3奈米節點表現不足以與TSMC同期節點抗衡，將難以在2奈米戰役中取得先機。未來幾年，三星能否透過穩定良率與尖端性能重塑客戶信任，將決定其能否從追隨者轉為追平者，甚至超越者。（原文出處）
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