在數位轉型與AI應用全面加速的浪潮下，來自美國聖塔克拉拉與日本京都的 ROHM Semiconductor 於2025年4月10日聯合宣布，開發出一系列具備 業界領先低導通電阻（Low ON-resistance）與寬廣安全操作區（SOA）能力的N通道功率MOSFETs。這項創新產品專為高效能企業伺服器與人工智慧伺服器的電源供應系統設計，標誌著伺服器能源效率與穩定性的重大躍進。
隨著數據中心與AI運算需求暴增，伺服器需全天候穩定運作，其背後的電源轉換效率變得至關重要。MOSFET元件在AC-DC轉換電路中扮演關鍵角色，但若ON阻抗過高，會導致嚴重導通損耗，進而降低整體系統的效率。ROHM這次推出的新款MOSFET產品，在導通電阻方面達到有效減少電能損耗，同時延長伺服器壽命。
強化封裝與耐壓能力，半導體設計再進化
ROHM此次採用最新的 DFN5060-8S 封裝技術，可容納更大晶粒（die），突破傳統封裝限制，進一步提升電流處理與熱傳導效能。這樣的設計讓新款MOSFET不僅具備更低的導通電阻，同時在高壓大電流環境中依然保持穩定表現，顯著拓展其安全操作區（SOA），特別適合具備熱插拔功能（Hot-Swap）的伺服器應用。
在熱插拔作業中，設備於運轉狀態下進行模組更換，容易產生突波電流，若MOSFET缺乏足夠耐受性，將導致損壞甚至伺服器系統故障。ROHM的新產品正是針對此痛點設計，提供更高安全邊界，有效保護整體電路穩定性。
ROHM指出，這系列新型MOSFET將在未來AI運算、高頻處理、雲端服務等多元應用中發揮關鍵價值，協助數據中心與伺服器運營商提升能源效率、降低維護成本，同時滿足更嚴格的環保與可持續性目標。
半導體技術的進步正深刻改變全球伺服器與運算架構，而ROHM此次的創新發表，再次展現其在高階電源管理領域的技術實力。隨著全球對AI與邊緣運算的需求持續爆發，這類低功耗、高可靠性的功率元件，將成為下一波半導體競賽中的關鍵競爭力。（原文出處）
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