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東京電子（Tokyo Electron，TEL）宣布在日本熊本縣開設一座大型研發中心，意在深化與台積電（TSMC）等廠商的合作，加速次世代 1 奈米製程與高數值孔徑（high-NA）極紫外光刻（EUV）技術的研發。該設施位於與台積電在地營運密切相連的工業園區，預計於 2026 年春季投入運作，屆時其在該地區的研發能量將提升至原有規模的四倍。
聚焦高NA光刻與清洗設備的技術突破
東京電子長年於拋光／顯影機（coater-developer）與晶片清洗設備市占領先，尤其在極紫外光刻機的拋光顯影系統上幾近壟斷。據《日刊工業新聞》報導，TEL 在該項設備上市占率達100%。新研發中心將專注於強化其在高NA EUV 後續製程上的技術能力，包括提升光學性能、對應更複雜掩膜設計與降低製程誤差等。這些技術被視為下一代極紫外光刻機競爭的關鍵支點。
儘管TEL在設備端有強勁基礎，該公司目前也面臨獲利壓力。據日經新聞指出，由於客戶投資腳步調整、中國市場設備銷售疲弱等因素，TEL 調降本年度（截至翌年 3 月）淨利預期，轉為下滑，扭轉早前的營收成長預估。這一轉變迫使 TEL 必須在技術研發與成本控制之間取得更精準的平衡。
這座熊本研發中心的啟動，對TEL而言是一項長遠投資，也代表日本在全球晶片設備鏈中試圖再爭話語權。隨著 1 奈米製程與高NA EUV 成為未來幾年半導體技術的潛在競爭焦點，TEL 的這一步棋不只對自身生存至關重要，也可能重塑日本在全球晶片設備格局中的定位。（原文出處）
